Naslov (srp)

Dobijanje cink-oksidnih varistora sa submikronskom veličinom zrna i izrazito visokim poljem proboja : doktorska disertacija

Autor

Vuković, Marina N., 1983-

Doprinosi

Branković, Goran, 1966-
Poleti, Dejan, 1952-
Branković, Zorica, 1966-
Dapčević, Aleksandar

Opis (eng)

Zinc oxide varistors with ultra-high breakdown field are necessary for applications in modern technologies, where the overvoltage protection should be simultaneously as small as possible and electrically functional. Preparation of ultra-high breakdown field varistors, that was presented in this work, included two routes: preparation of varistors via separately synthesized nanoprecursors (Co/Mn-doped ZnO, Bi2O3 and Sb2O3), and also by the addition of Bi2O3 and Sb2O3 additives through the solutions of appropriate salts...

Opis (srp)

Cink-oksidni varistori sa izrazito visokim poljem proboja potrebni su u savremenim tehnologijama, gde je poželjno da prenaponska zaštita bude što manjih dimenzija, a istovremeno i električno funkcionalna. U ovoj doktorskoj disertaciji za postizanje visokog polja proboja primenjena su dva smera: dobijanje varistora iz pojedinačno sintetisanih nanodimenzionalnih prekursora (Co/Mn-dopiranog ZnO, Bi2O3 i Sb2O3), kao i metoda uvođenja Bi2O3 i Sb2O3 aditiva u već sintetisani Co/Mn-dopirani ZnO preko rastvora odgovarajućih soli...

Opis (srp)

Tehnološko inženjerstvo - Inženjerstvo materijala / Technological Engineering - Materials Engineering Datum odbrane: 14.03.2017.

Jezik

srpski

Datum

2017

Licenca

© All rights reserved

Predmet

OSNO - Opšta sistematizacija naučnih oblasti, Hemijsko inženjerstvo

OSNO - Opšta sistematizacija naučnih oblasti, Ispitivanje materijala. Inženjerstvo materijala

cink-oksidni varistori, polje proboja, submikronska veličina zrna,nanodimenzionalni prekursori, ultrazvučna aktivacija

OSNO - Opšta sistematizacija naučnih oblasti, Hemijsko inženjerstvo

OSNO - Opšta sistematizacija naučnih oblasti, Ispitivanje materijala. Inženjerstvo materijala

zinc oxide varistors, breakdown field, submicronic grain size,nanodimensioned precursors, ultrasonic activation